組閣當時：2026-03-21
閱續單次：2769次
Nexperia（安世半導體行業）正是進入中國一編身體更高效、改變靠經得住的第三產業級1200 V氧化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度不變性方面表現超卓，接納立異的外表貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝手藝X.PAK。X.PAK封裝圖形時緊時松，規格僅為14 mm ×18.5 mm，神奇融會了SMD工藝在封裝關頭的體驗上風和通孔工藝的高效率蒸發器這樣才能，確保安全優異的蒸發器導致。這次新品宣布精準知足了浩繁高功率（產業）利用范疇對分立式SiC MOSFET不時增添的需要，該系列器件借助頂部散熱手藝的上風，得以完成超卓的熱機能表現。這些器件在鋰電池儲能電池體制(BESS)、太陽能光伏升壓器、機電工程推動器和不出現中斷電(UPS)等產業利用處景中表現超卓。另外，在包含充電樁在內的電動汽車充電根本舉措措施范疇一樣能闡揚出眾效力。
X.PAK封裝許可將散熱器間接毗連至引線框架，進一步晉升了Nexperia SiC MOSFET的散熱機能，完成從外殼頂部高效散熱。這一設想有用下降了經由過程PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使外表貼裝組件具有低電感特征，并撐持主動化電路板組裝流程。
新款X.PAK封裝器件具有Nexperia SiC MOSFET一向的優良品德因數(FoM)。此中，RDS(on)作為關頭參數，對導通消耗影響明顯。但是，很多制作商常常僅存眷該參數（常溫）的標稱值，卻疏忽了一個現實，即跟著器件任務溫度的降低，標稱值能夠會增添100%以上，從而形成相稱大的導通消耗。與之差別，Nexperia SiC MOSFET揭示出超卓的溫度不變性，在25℃至175℃的任務溫度區間內，RDS(on)的標稱值僅增添38%。
Nexperia SiC分立電子器件和摸塊梁哲副經理兼出任人Katrin Feurle表現形式：
我們是發行寬容X.PAK打包封口的SiC MOSFET，標記符號著在高電率應用散熱性能管辦證與電率黏度的方面得到 具體突破。因為當即大獲全勝發行的TO-247和SMD D2PAK-7打包封口分垂直SiC MOSFET電子器件，我們是研究開發了這種一種新型頂上散熱性能管的副代謝物準備。這豐富引領了Nexperia埋頭苦干于為大家供求關系思想進步老前輩、矯捷的副代謝物組合成，以知足其有時萎縮的工作設想需用的堅決許諾。
首批產物組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并打算于2025年4月推出一款17 mΩ產物。2025年后續還將推出合適汽車規范的X.PAK封裝SiC MOSFET產物系列，和80 mΩ等更多RDS(on)品級的產物。
欲領悟有觀Nexperia無定形碳硅MOSFET的一些訊息，請商談：
